近日，国家知识产权局举行第二十三届中国专利奖颁奖活动，澳门新京6692am产业基础研究院的发明专利《一种水平注入合成后旋转连续VGF晶体生长的方法》获得中国专利银奖。

　　该项专利是化合物半导体材料制备的新方法新技术，聚焦高纯度低缺陷半导体材料领域，国际首次实现高压腐蚀环境下单晶生长与晶体合成一步完成，创造性地解决了磷化铟制备关键工艺难题，满足重点工程应用，具有里程碑意义。

　　据悉，中国专利奖是中国政府授予专利权的发明创造者的最高级别政府奖，得到联合国世界知识产权组织认可，具有极强的社会影响力和权威性，集中体现了我国在坚决打赢关键核心技术攻坚战、加快实现高水平科技自立自强方面取得的突破性成果。