付兴中于2009年入职，十几年来一直从事化合物半导体研发和芯片质量管控等工作，为所内化合物半导体尤其是第三代半导体技术的发展作出了突出贡献，用实际行动践行了一个电科人爱岗敬业、对党忠诚的优良品格，展现出电科人的忠诚之美。

　　付兴中长期扎根科研生产一线，积极作为，致力于砷化镓、氮化镓等化合物半导体技术的研发工作，特别是氮化镓射频芯片技术领域，先后参与了多项国家重点项目，在射频芯片技术的质量管控方面作出了突出贡献。

　　作为检测平台和SPC负责人，他设计了工艺过程监控图形，搭建了检测平台，探索出多种新的测试方法和表征手段，发现并解决了芯片制造工艺开发过程中遇到的系列关键问题，实现工艺平台主要参数的大幅优化，为射频芯片从样品研制到实现批量生产作出了重要贡献。

　　作为芯片质量控制负责人，他始终坚定贯彻“产品质量是设计和生产出来的”理念，加强管理信息化建设，把质量管理流程与专业部信息化平台进行一体化建设，确保质量管理落实到产品研发和生产的各个环节；推动生产线自动化能力的提升，降低人为参与的程度，提升受控文件落实的效果；重点建设研发和工艺过程监控体系，成立了四个管理和技术团队，通过大家的共同努力，产品质量和用户满意度大幅度提升，得到用户的好评。

　　2018年，第五代通信（5G）技术的兴起和国产化政策的指引，为国内5G基站用氮化镓射频器件带来市场和机遇，但5G基站用氮化镓功率放大器的工作环境复杂严苛、生命周期长，对可靠性要求极高，是研发初期的难点之一。他主动担当，冲锋在前，承担起5G基站用氮化镓射频器件性能优化及可靠性提升的重任。

　　付兴中带领科研团队深入学习半导体理论知识，在基站用氮化镓射频器件可靠性方面进行深入的理论研究，精心设计可靠性方案，结合失效分析手段，找出了器件的失效机理，定位了制作工艺和器件设计存在的薄弱环节，通过优化改进，使基站用氮化镓功率放大器典型产品的平均寿命大幅提升，满足了5G基站的应用要求。同时在产品性能方面也持续提升，通过不断优化器件结构、工艺控制窗口，最终实现了产品性能对标国际一流厂商，获得了用户的信赖与好评。

　　付兴中坚持认真学习习近平新时代中国特色社会主义思想，深入学习领会党的二十大精神，不断提升自己的政治素养。2022年产业基础研究院的成立，为勇于拼搏、敢为人先的十三所人带来更大的挑战。他将不忘初心，始终忠诚于国家的科技事业，牢记电科人的使命责任，聚焦主责主业，在核心电子元器件领域持续深耕，在服务强国强军事业方面不断前行。